Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiter mit Galliumoxid-Technologie

Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiter mit Galliumoxid-Technologie

Aixtron stärkt Position in der Halbleitertechnologie der nächsten Generation durch Schlüsselpartnerschaft mit der Ohio State University

Der Halbleiterausrüster Aixtron baut seine führende Rolle in der Halbleitertechnologie der Zukunft durch eine strategische Zusammenarbeit mit der Ohio State University aus. Im Mittelpunkt der Kooperation steht die Weiterentwicklung von Galliumoxid – ein Material, das die Leistungselektronik revolutionieren könnte. Gleichzeitig unterstreicht der Schritt den strategischen Kurswechsel des Unternehmens hin zu KI-Rechenzentren und Hochleistungsmaterialien.

An der Nanotech West Lab der Ohio State University wurde kürzlich ein Close Coupled Showerhead® (CCS)-System von Aixtron installiert. Die Anlage ermöglicht das Wachstum von Galliumoxid- und Aluminium-Galliumoxid-Schichten auf 100-Millimeter-Substraten und erzeugt dabei hochwertige, gleichmäßige Dünnschichten. Forscher werden das System nutzen, um Halbleiter mit extrem großer Bandlücke zu erforschen – eine Schlüsseltechnologie für die energieeffizienten Geräte von morgen.

Die Partnerschaft mit der Ohio State University festigt Aixtrons Ruf als Vorreiter in der MOCVD-Technologie (Metallorganische Gasphasenepitaxie). Angesichts der wachsenden Bedeutung von Galliumoxid in Hochleistungsanwendungen könnte das frühe Engagement des Unternehmens die künftigen Halbleitermärkte prägen. Gleichzeitig deuten die aktuelle Aktienperformance und die Neuausrichtung auf KI-Infrastruktur auf eine vielversprechende Zukunftsperspektive hin.